標(biāo)準(zhǔn)包裝 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
漏極至源極電壓(VDSS) 20V
電流-連續(xù)漏極(編號)@ 25°C 6.5A
Rds(最大)@ ID,VGS 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1V @ 250μA
柵極電荷(Qg)@ VGS 16nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)@ Vds的 1160pF @ 10V
功率 - 最大 1.4W
安裝類型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3
包裝材料 Tape & Reel (TR)
FET特點(diǎn) Logic Level Gate, 1.8V Drive
封裝 Tape & Reel (TR)
安裝類型 Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極(Id ) @ 25 °C 6.5A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝 SOT-23-3
開態(tài)Rds(最大)@ Id ,V GS 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.4W
標(biāo)準(zhǔn)包裝 3,000
漏極至源極電壓(Vdss) 20V
輸入電容(Ciss ) @ VDS 1160pF @ 10V
閘電荷(Qg ) @ VGS 16nC @ 4.5V
封裝/外殼 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3