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  2. IR2103STRPBF供應商 IR2103S供應商
型號：
IR2103STRPBF供應商 IR2103S供應商
數(shù)量：
5782
廠商：
IOR
批號：
最新年份
封裝：
SOP-8
貨期：

詢價熱線0755-83759982　83759919　 13928452225 聯(lián)系人：鐘小姐
商城客服

詳細信息
標準包裝 2,500
配置 Half Bridge
Input 型 Inverting and Non-Inverting
延遲時間 680ns
電流 - 峰值 210mA
配置數(shù) 1
輸出數(shù) 2
高壓側電壓 - 馬克斯（引導） 600V
- 電源電壓 10 V ~ 20 V
操作溫度 -40°C ~ 125°C
安裝類型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供應商器件封裝 8-SOICN
包裝材料 Tape & Reel (TR)
包裝 8SOIC
驅動器類型 High and Low Side
驅動程序配置 Inverting|Non-Inverting
輸出數(shù) 2
最大工作電源電壓 20 V
最低工作電源電壓 10 V
峰值輸出電流 0.36(Typ) A
最大功率耗散 625 mW
輸入邏輯相容性 CMOS|LSTTL|3.3V(Min)|5V|15V
最大上升時間 170 ns
最大開啟延遲時間 820 ns
最大下降時間 90 ns
最大關閉延遲時間 220 ns
工作溫度 -40 to 125 °C
安裝 Surface Mount
標準包裝 Tape & Reel
包裝寬度 4(Max)
PCB 8
最大功率耗散 625
最大關閉延遲時間 220
歐盟RoHS指令 Compliant
橋型 Half Bridge
最大下降時間 90
峰值輸出電流 0.36(Typ)
最低工作溫度 -40
供應商封裝形式 SOIC
標準包裝名稱 SOIC
最高工作溫度 125
包裝長度 5(Max)
最低工作電源電壓 10
引腳數(shù) 8
最大傳播延遲時間 60
包裝高度 1.5(Max)
驅動器數(shù) 2
封裝 Tape and Reel
最大開啟延遲時間 820
最大工作電源電壓 20
最大上升時間 170
鉛形狀 Gull-wing
安裝類型 Surface Mount
配置數(shù) 1
供應商設備封裝 8-SOIC N
電壓 - 電源 10 V ~ 20 V
輸入類型 Inverting and Non-Inverting
高端電壓 - 最大值（自啟動） 600V
封裝/外殼 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
配置 Half Bridge
電流 - 峰值 210mA
延遲時間 680ns
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名稱 IR2103SPBFDKR
工廠包裝數(shù)量 2500
上升時間 170 ns
RoHS RoHS Compliant
輸出電流 360 mA
下降時間 90 ns
最高工作溫度 + 125 C
安裝風格 SMD/SMT
電源電壓 - 最大 20 V
最低工作溫度 - 40 C
電源電壓 - 最小 10 V
類型 High and Low Side
IR2103STRPBF系列產(chǎn)品
型號 廠家 產(chǎn)品描述
IR2103PBF international rectifier MOSFET DRVR 600V 0.36A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP
IR2103SPBF international rectifier MOSFET DRVR 600V 0.36A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC
IR2103STRPBF也可以通過以下分類找到
產(chǎn)品分類 電源管理  MOSFET和電源驅動器
產(chǎn)品分類 半導體與光電子 集成電路 - 集成電路 電源管理IC  柵極驅動器
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訂購IR2103STRPBF.產(chǎn)品描述:MOSFET DRVR 600V 0.36A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC T/R. 生產(chǎn)商: international
IR2103(S)PBF Half-Bridge Driver Features Product Summary · Floating channel designed for bootstrap operation · Fully operational to +600V VOFFSET (max) 600V · Tolerant to negative transient voltage · dV/dt immune IO+/- 130mA / 270mA · Gate drive supply range from 10 to 20V · Undervoltage lockout VOUT 10V – 20V · 3.3V, 5V and 15V logic compatible · Cross-conduction prevention logic · Matched propagation delay for both channels ton/off (typ.) 680 & 150 ns · Internal set deadtime · High side output in phase with HIN input Deadtime (typ.) 520 ns · Low side output out of phase with LIN input Description Package Options The IR2103(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the 8 Lead SOIC 8 Lead PDIP high side configuration which operates up to 600 volts. Ordering Information