標(biāo)準(zhǔn)包裝 1
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
漏極至源極電壓(VDSS) 600V
電流-連續(xù)漏極(編號)@ 25°C 34mA
Rds(最大)@ ID,VGS 500 Ohm @ 16mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4.1V @ 8μA
柵極電荷(Qg)@ VGS 150nC @ 10V
輸入電容(Ciss)@ Vds的 6pF @ 25V
功率 - 最大 1.39W
安裝類型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23
包裝材料 Cut Tape (CT)
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
封裝 Tape & Reel (TR)
安裝類型 Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極(Id ) @ 25 °C 34mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4.1V @ 8μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝 SOT-23
其他名稱 785-1458-2
開態(tài)Rds(最大)@ Id ,V GS 500 Ohm @ 16mA, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.39W
標(biāo)準(zhǔn)包裝 3,000
漏極至源極電壓(Vdss) 600V
輸入電容(Ciss ) @ VDS 6pF @ 25V
閘電荷(Qg ) @ VGS 150nC @ 10V
封裝/外殼 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant