標(biāo)準(zhǔn)包裝 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
漏極至源極電壓(VDSS) 30V
電流-連續(xù)漏極(編號)@ 25°C 23A
Rds(最大)@ ID,VGS 3.7 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.2V @ 250μA
柵極電荷(Qg)@ VGS 49nC @ 10V
輸入電容(Ciss)@ Vds的 2010pF @ 15V
功率 - 最大 3.1W
安裝類型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154", 3.90mm 寬度 )
供應(yīng)商器件封裝 8-SOIC