標(biāo)準(zhǔn)包裝 3,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
漏極至源極電壓(VDSS) 30V
電流-連續(xù)漏極(編號(hào))@ 25°C 8A
Rds(最大)@ ID,VGS 32 mOhm @ 8A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.4V @ 250μA
柵極電荷(Qg)@ VGS 16nC @ 10V
輸入電容(Ciss)@ Vds的 760pF @ 15V
功率 - 最大 3.1W
安裝類型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供應(yīng)商器件封裝 8-SOIC
包裝材料 Tape & Reel (TR)
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
封裝 Tape & Reel (TR)
安裝類型 Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極(Id ) @ 25 °C 8A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.4V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝 8-SOIC
其他名稱 785-1284-2
開態(tài)Rds(最大)@ Id ,V GS 32 mOhm @ 8A, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 3.1W
標(biāo)準(zhǔn)包裝 3,000
漏極至源極電壓(Vdss) 30V
輸入電容(Ciss ) @ VDS 760pF @ 15V
閘電荷(Qg ) @ VGS 16nC @ 10V