標(biāo)準(zhǔn)包裝 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
漏極至源極電壓(VDSS) 30V
電流-連續(xù)漏極(編號(hào))@ 25°C 70A
Rds(最大)@ ID,VGS 3 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.2V @ 250μA
柵極電荷(Qg)@ VGS 58nC @ 10V
輸入電容(Ciss)@ Vds的 4300pF @ 15V
功率 - 最大 2.7W
安裝類型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應(yīng)商器件封裝 TO-252