標(biāo)準(zhǔn)包裝 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
漏極至源極電壓(VDSS) 60V
電流-連續(xù)漏極(編號)@ 25°C 12A
Rds(最大)@ ID,VGS 60 mOhm @ 12A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250μA
柵極電荷(Qg)@ VGS 10nC @ 10V
輸入電容(Ciss)@ Vds的 540pF @ 30V
功率 - 最大 20W
安裝類型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應(yīng)商器件封裝 TO-252, (D-Pak)
包裝材料 Tape & Reel (TR)
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
封裝 Tape & Reel (TR)
安裝類型 Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極(Id ) @ 25 °C 12A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝 TO-252, (D-Pak)
其他名稱 785-1108-2
開態(tài)Rds(最大)@ Id ,V GS 60 mOhm @ 12A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 20W
標(biāo)準(zhǔn)包裝 2,500
漏極至源極電壓(Vdss) 60V
輸入電容(Ciss ) @ VDS 540pF @ 30V
閘電荷(Qg ) @ VGS 10nC @ 10V
封裝/外殼 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
連續(xù)漏極電流 12 A
柵源電壓(最大值) 20 V
功率耗散 2 W
安裝 Surface Mount
漏源導(dǎo)通電阻 0.06 ohm
工作溫度范圍 -55C to 175C
包裝類型 DPAK
引腳數(shù) 2 +Tab
極性 N
類型 Power MOSFET
元件數(shù) 1
工作溫度分類 Military
通道模式 Enhancement
漏源導(dǎo)通電壓 60 V
弧度硬化 No