標(biāo)準(zhǔn)包裝 3,000
FET 型 2 N-Channel (Dual)
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
漏極至源極電壓(VDSS) 60V
電流-連續(xù)漏極(編號(hào))@ 25°C 4.5A
Rds(最大)@ ID,VGS 56 mOhm @ 4.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250μA
柵極電荷(Qg)@ VGS 10.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)@ Vds的 540pF @ 30V
功率 - 最大 2W
安裝類型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供應(yīng)商器件封裝 8-SOIC
包裝材料 Tape & Reel (TR)
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
封裝 Tape & Reel (TR)
安裝類型 Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極(Id ) @ 25 °C 4.5A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝 8-SOIC
其他名稱 785-1062-2
開態(tài)Rds(最大)@ Id ,V GS 56 mOhm @ 4.5A, 10V
FET型 2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大 2W
標(biāo)準(zhǔn)包裝 3,000
漏極至源極電壓(Vdss) 60V
輸入電容(Ciss ) @ VDS 540pF @ 30V
閘電荷(Qg ) @ VGS 10.5nC @ 10V
封裝/外殼 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)