日本xxxx色视频在线观看免费,欧美亚洲色图视频,欧美人与动牲交片免费播放,妈妈的朋友6,欧美伊人久久

您好,歡迎來到深圳市亞泰盈科電子有限公司

MOSFET IXTP60N20T 制造商IXYS 中文PDF資料及實物圖片

發(fā)布時間:2019/1/12

IXTP60N20T

規(guī)格信息:

制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220AB-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Id-連續(xù)漏極電流:60 A

Rds On-漏源導通電阻:40 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:73 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:500 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:HiPerFET

封裝:Tube

系列:IXTP60N20

晶體管類型:1 N-Channel

商標:IXYS

正向跨導 - 最小值:40 S

下降時間:13 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:13 ns

工廠包裝數(shù)量:50

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:33 ns

典型接通延遲時間:22 ns

單位重量:350 mg