AO3415特性，參數(shù)，圖片 AO3415 中文元件說明書
發(fā)布時(shí)間：2019/1/10
標(biāo)準(zhǔn)包裝 3,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS） 20V
電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C 4A
Rds（最大）@ ID，VGS 43 mOhm @ 4A, 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id 1V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS 17.2nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）@ Vds的 1450pF @ 10V
功率 - 最大 1.4W
安裝類型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3
包裝材料 Tape & Reel (TR)
最大門源電壓 ±8
歐盟RoHS指令 Compliant
最高工作溫度 150
通道模式 Enhancement
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱 SOT-23
包裝高度 1
安裝 Surface Mount
最大功率耗散 1500
渠道類型 P
最大漏源電阻 41@4.5V
最低工作溫度 -55
最大漏源電壓 20
每個(gè)芯片的元件數(shù) 1
包裝寬度 1.6
供應(yīng)商封裝形式 SOT-23
包裝長(zhǎng)度 2.9
PCB 3
最大連續(xù)漏極電流 4
引腳數(shù) 3
鉛形狀 Gull-wing
FET特點(diǎn) Logic Level Gate, 1.8V Drive
封裝 Tape & Reel (TR)
安裝類型 Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C 4A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 1V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝 SOT-23-3
其他名稱 785-1010-2
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS 43 mOhm @ 4A, 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.4W
標(biāo)準(zhǔn)包裝 3,000
漏極至源極電壓（Vdss） 20V
輸入電容（Ciss ） @ VDS 1450pF @ 10V
閘電荷（Qg ） @ VGS 17.2nC @ 4.5V
封裝/外殼 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
