BCW68GLT1G特性，參數(shù)，圖片 BCW68GLT1G中文元件說明書
發(fā)布時間：2018/12/28
標準包裝 3,000
晶體管類型 PNP
- 集電極電流（Ic）（最大） 800mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） 45V
Vce飽和（最大）@ IB，IC 1.5V @ 30mA, 300mA
電流 - 集電極截止（最大） 20nA
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE 120 @ 10mA, 1V
功率 - 最大 225mW
頻率轉(zhuǎn)換 100MHz
安裝類型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商器件封裝 SOT-23-3 (TO-236)
包裝材料 Tape & Reel (TR)
包裝 3SOT-23
類型 PNP
引腳數(shù) 3
最大集電極發(fā)射極電壓 45 V
集電極最大直流電流 0.8 A
最小直流電流增益 120@10mA@1V|160@100mA@1V|60@300mA@1V
最大工作頻率 100(Min) MHz
最大集電極發(fā)射極飽和電壓 1.5@30mA@300mA V
最大集電極基極電壓 60 V
工作溫度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 300 mW
安裝 Surface Mount
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標準包裝 Tape & Reel
集電極最大直流電流 0.8
歐盟RoHS指令 Compliant
最高工作溫度 150
標準包裝名稱 SOT-23
最低工作溫度 -55
最大功率耗散 300
最大基地發(fā)射極電壓 5
Maximum Transition Frequency 100(Min)
封裝 Tape and Reel
每個芯片的元件數(shù) 1
最大集電極基極電壓 60
供應商封裝形式 SOT-23
最大集電極發(fā)射極電壓 45
鉛形狀 Gull-wing
電流 - 集電極（ Ic）（最大） 800mA
晶體管類型 PNP
安裝類型 Surface Mount
頻率 - 轉(zhuǎn)換 100MHz
下的Vce飽和度（最大） Ib，Ic條件 1.5V @ 30mA, 300mA
電流 - 集電極截止（最大） 20nA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） 45V
供應商設備封裝 SOT-23-3 (TO-236)
功率 - 最大 225mW
封裝/外殼 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流電流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce時 120 @ 10mA, 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名稱 BCW68GLT1GOSCT
類別 General Purpose
配置 Single
外形尺寸 3.04 x 2.64 x 1.11mm
身高 1.11mm
長度 3.04mm
最大的基射極飽和電壓 -2 V dc
最大基地發(fā)射極電壓 -5 V dc
最高工作溫度 +150 °C
最低工作溫度 -55 °C
包裝類型 SOT-23
寬度 2.64mm
工廠包裝數(shù)量 3000
集電極 - 發(fā)射極飽和電壓 - 1.5 V
產(chǎn)品種類 Transistors Bipolar - BJT
晶體管極性 PNP
發(fā)射極 - 基極電壓VEBO 5 V
直流集電極/增益hfe最小值 120 at 10 mA at 1 V
增益帶寬產(chǎn)品fT 100 MHz
集電極 - 發(fā)射極最大電壓VCEO - 45 V
安裝風格 SMD/SMT
集電極 - 基極電壓VCBO - 60 V
RoHS RoHS Compliant
連續(xù)集電極電流 - 0.8 A
集電極電流（ DC）（最大值） 0.8 A
集電極 - 基極電壓 60 V
集電極 - 發(fā)射極電壓 45 V
發(fā)射極 - 基極電壓 5 V
頻率（最大） 100 MHz
功率耗散 0.3 W
工作溫度范圍 -55C to 150C
元件數(shù) 1
直流電流增益（最小值） 120
工作溫度分類 Military
弧度硬化 No
頻率 100 MHz
直流電流增益 120
集電極電流（DC ） 0.8 A
